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京东方、北京大学公布专利,涉AR眼镜、Micro LE

返回列表来源:司令 发布日期 2024-04-09 浏览:

国家专利局消息显示,北京京东方技术开发有限企业“一种光波导器件及AR显示装置”专利公布,申请公布日为2024年3月26日,申请公布号为CN117761825A。专利可提高AR显示设备的光效。专利信息显示,本公开提供一种光波导器件及AR显示装置,所述光波导器件包括:光波导板,及设于所述光波导板上的耦入光栅、反射元件和耦出光栅;其中,所述耦入光栅被配置为将入射光耦入至所述光波导板中,并在所述光波导板中形成衍射光线;所述反射元件被配置为接收来自所述光波导板中的所述衍射光线,并将所述衍射光线反射至所述耦出光栅;所述耦出光栅被配置为接收来自所述反射元件反射的衍射光线,并将所述衍射光线射出。本公开实施例提供的光波导器件及AR显示装置,其是提供了一种AR增强现实显示系统的新架构,能够提高光效。
 
据悉,京东方在AR/VR设备领域上,可提供Micro OLED显示模组和Fast LCD模组,尺寸包含0.39英寸至5.5英寸,具有高分辨率,快速响应,高刷新率等特点,可应用于多种微显示场景。另外,京东方的MLDE技术也可为VR/AR等领域显示产品提供高品质及高可靠性的 LED 背光产品。
 
此前,京东方发布了多款微显示新品,包括全球首发的1.3英寸双目4K Micro OLED云顶娱4008网址,像素密度达4000+PPI,亮度达5000nits。京东方还推出了超薄大视角的Si-OLED双目光学系统,具有高亮度与显示密度的同时,产品更加轻薄。北京大学:申请Micro LED芯片专利,可降低制备复杂度
 
据国家常识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种基于无掩模二次外延的Micro-LED芯片阵列的制备方法“,公开号CN117766642A,申请日期为2023年12月。该专利可降低Micro LED制备工艺的复杂度。专利摘要显示,本发明公开了一种基于无掩模二次外延的Micro LED芯片阵列的制备方法。本发明通过对GaN模板进行干法刻蚀,形成应力弛豫图形化GaN模板,再在应力弛豫图形化GaN模板基础上选区二次外延多量子阱等结构,有效避免对多量子阱区域进行干法刻蚀,从而避免了多量子阱的侧壁刻蚀损伤;应力弛豫图形化GaN模板使得n型掺杂的GaN受到的应力得到有效弛豫;在应力弛豫图形化GaN模板上生长的预应力层,所受到的压应力得到部分弛豫,面内晶格常数得到扩张,从而减小铟并入所需要的能量,增加多量子阱中铟的并入;在制备应力弛豫图形化GaN模板中的刻蚀,使得只有GaN微米柱阵列的顶面为c面,作为生长面;选区二次外延生长,不需要额外的掩模,降低了Micro LED制备工艺的复杂度。
 

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